北京中舟天芯云顶游戏平台换网站了2020年9月注册于北京中关村科技园区，汇聚了来自军工行业和半导体行业技术与市场精英，是一家以原创技术驱动的高科技公司。公司主要从事芯片及模组设计、生产，具有多项技术和工艺，团队经过多年的技术攻关，率先突破了第三代半导体碳化硅芯片的技术瓶颈，并已经形成产品化、系列化。
产品涵盖三个板块：功率管、模组、车辆电控。MOSFET已经形成系列化，有如下规格：650V,900V,1200V,1700V,3300V，模组和车辆电控也有部分产品。产品已通过航天研究所等军工单位严苛测试，产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。
关联公司：
北京中舟天芯旗下全资子公司--宁波君芯半导体云顶游戏平台换网站了2020年9月注册成立于浙江省宁波市高新区，形成以“君芯”为自有品牌，专业从事碳化硅MOSFET器件及模块设计、研发，生产及销售，定位自建晶圆厂和封测厂全产业链 (IDM) 的半导体公司。外延，流片和封测线均在稳步推进建设之中，预计2023年6月份量产，量产后产能将达到30KK，年产值或将超过人民币20亿元。
君芯已向多家客户提供系统解决方案，君芯碳化硅全系列产品性能对标CREE、ST、ROHM等国外行业巨头。部分型号已通过中国兵器工业集团电子元器件可靠性检测中心检验，为国内首家通过可靠性测试满足军品质量等级要求的SIC MOSFET半导体公司。同时和中兵骨干企业展开合作形成批量持续供货，逐步拓展到军工及航天各领域。
深圳中舟天芯科技云顶游戏平台换网站了2018年7月成立于深圳市南山区（2021年12月由深圳市艾锝能微电子更名而来），深圳中舟天芯跟北京中舟天芯和宁波君芯交叉持股强强联手形成战略联盟。深圳中舟拥有强大市场开拓能力和电源相关产品系统级应用与研发能力，创始人与核心团队来自ST, IXYS, NXP, LITEON，EMERSON 等半导体与电源知名头部企业。深圳中舟天芯定位唯一民品销售公司，对外承接宁波君芯碳化硅MOSFET器件民品销售的所有业务。
北京中舟天芯科技将充分利用其在航天和军工系统相关领域的独特资源优势为宁波君芯半导体云顶游戏平台换网站了和深圳中舟天芯科技云顶游戏平台换网站了的发展壮大保驾护航。
动力和能源是驱动人类发展的基石，全电和全电驱时代的来临，高性能的功率芯片至关重要。第三代半导体碳化硅芯片具有优越的性能：耐高压、耐高温、大电流、宽温区、高频率，抗辐照等，成为今后功率器件的主流，并在严苛的应用大面积替代IGBT。将广泛地应用于航天航空、车辆、通讯、电力、高铁、船舶、风能和光伏等领域。
产品介绍：
晶圆
功率管
模组
电控
SiC是一种具有性能优异的第三代半导体材料,与第一、二代半导体材料Si和GaAs相比，SiC材料及器件具有以下优势：
1. SiC的禁带宽度大（是Si的3倍，GaAs的2倍）,由此SiC功率半导体器件的工作温度可以高达600°C。
2. SiC的击穿场强高（是Si的10倍, GaAs的7倍）, SiC功率半导体器件的最高工作电压比Si的同类器件高得多; 由于功率半导体器件的导通电阻同材料击穿电场的立方成反比,因此SiC功率半导体器件的导通电阻比Si的同类器件的导通电阻低得多,结果SiC功率半导体器件的开关损耗便小得多。
3. SiC的热导率高（是Si的2.5倍, GaAs的8倍），饱和电子漂移速度高（是Si 及GaAs的2倍）,适合于高温高频工作。
SiC优于Si和GaAs的材料性能，有着诱人的应用前景，尤其SiC器件可在大于200℃的高温环境下工作，并具有开关损耗低及高频工作能力，这是Si和GaAs器件不能相比的，所以近几年来，许多国家投入大量人力物力进行研究开发。
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产品类别 |
产品型号 |
封装外形 |
耐压 |
导通电阻 |
最大电流 |
工作温度范围 |
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SiC芯片 |
TX30N900MT3 |
TO-247-3L |
900V |
75mohm |
30A |
-40~150°C |
|
TX60N900MT3 |
TO-247-3L |
900V |
38mohm |
60A |
-40~150°C |
|
|
TX160N900MT3 |
TO-247-3L |
900V |
10mohm |
160A |
-40~150°C |
|
|
TX180N900MD7 |
SPAK3-7L |
900V |
10mohm |
180A |
-40~150°C |
|
|
TX30N1200MT3 |
TO-247-3L |
1200V |
80mohm |
30A |
-40~150°C |
|
|
TX60N1200MT3 |
TO-247-3L |
1200V |
40mohm |
60A |
-40~150°C |
|
|
TX160N1200MT3 |
TO-247-3L |
1200V |
13mohm |
160A |
-40~150°C |
|
|
TX180N1200MD7 |
SPAK3-7L |
1200V |
13mohm |
180A |
-40~150°C |
|
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TX3S00150065M |
TO-247 |
650V |
150moho |
10A |
-40~150°C |
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|
TX3S0100065M |
TO-247 |
650V |
100moho |
20A |
-40~150°C |
|
|
TX3S0040065C |
TO-247 陶瓷封 |
650V |
40moho |
60A |
-40~150°C |
|
|
TX3S0020065C |
TO-247 陶瓷封 |
650V |
17moho |
100A |
-40~150°C |
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SiC模块 |
TX300N1200MH1 |
HP1 |
1200V |
6.7mohm |
300A |
-40~150°C |
|
TX600N1200MH1 |
HP1 |
1200V |
3.3mohm |
600A |
-40~150°C |
